一：工藝信息
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1、工藝名稱 |
WP32 |
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2、工藝類型 |
Bipolar |
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3、工作電壓 |
24V |
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4、特征尺寸 |
1.5um |
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5、金屬布線 |
雙層 |
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6、總光刻/最少光刻層數(shù) |
18/13 |
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7、主要工藝特征 |
NPN、LPNP、SPNP、齊納二極管、肖特基二極管，EB二極管，高值注入電阻、低溫度系數(shù)的POLY電阻、以及SIN電容等器件 |
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8、應(yīng)用方向 |
電源、放大器、驅(qū)動(dòng)器、基準(zhǔn) |
二：器件參數(shù)
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器件名稱 |
器件類型 |
主要電參數(shù) |
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npn36 |
npn |
beta=70-200Bvceo≥32Vft≥1GHZ |
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gnpn_big |
npn with DC |
beta=70-150Bvceo≥32Vft≥1GHZ |
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lpnp36 |
LPNP |
beta=100-600Bvceo≥32Vft≥50MHZ |
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spnp36 |
襯底PNP |
beta≥150-550Bvceo≥5Vft≥50MHZ |
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EB |
EB二極管 |
V=5.5-6.3V |
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ZN |
齊納二極管 |
V=6.8-7.6V |
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sch_g |
肖特基二極管 |
BV>32V |
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rpb |
基區(qū)電阻 |
Rs=580--660 |
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rpc |
高硼電阻 |
Rs=170--230 |
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Rir |
注入電阻 |
Rs=1700--2300 |
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Rep |
POLY電阻 |
Rs=950--1250 |
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nitcap |
SIN電容 |
C=33--46pF |
工藝平臺簡介_WP32
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