一：工藝信息
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1、工藝名稱 |
WB18 |
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2、工藝類型 |
Bipolar |
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3、工作電壓 |
18V |
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4、特征尺寸 |
4um |
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5、金屬布線 |
雙層 |
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6、總光刻/最少光刻層數 |
16/9 |
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7、主要工藝特征 |
NPN、LPNP、SPNP、VPNP、二極管、高值注入電阻以及SIN電容等器件 |
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8、應用方向 |
電源、放大器、驅動器、基準 |
二：器件參數
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器件名稱 |
器件類型 |
主要電參數 |
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NDC111Y8 |
npn |
beta=100-250Bvceo≥18Vft=400MHZ |
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LPPBC7 |
低硼LPNP |
beta=100-250Bvceo≥25Vft=5MHZ |
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LPPBPCC7 |
高硼LPNP |
beta=200-500Bvceo≥25Vft=5MHZ |
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SPPB111Y8 |
低硼SPNP |
beta=150-450Bvceo≥25Vft≥5MHZ |
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SPPBPC111Y8 |
高硼SPNP |
beta=400-800Bvceo≥25Vft≥5MHZ |
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DS8X32 |
肖特基二極管 |
BV≥25V |
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deb |
EB二極管 |
V=6-7V |
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DZPC10X32B |
齊納二極管 |
V=5.4-6.2V |
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rpb |
基區電阻 |
Rs=180--220 |
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rpc |
高硼電阻 |
Rs=90--110 |
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Rir |
注入電阻 |
Rs=1800--2200 |
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CNIT100X50 |
SIN電容 |
C=4-6pF |
工藝平臺簡介_WB18
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